casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / BR93G76F-3BGTE2
codice articolo del costruttore | BR93G76F-3BGTE2 |
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Numero di parte futuro | FT-BR93G76F-3BGTE2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BR93G76F-3BGTE2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 8Kb (512 x 16) |
Frequenza di clock | 3MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR93G76F-3BGTE2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BR93G76F-3BGTE2-FT |
W25X32VSSIG T&R
Winbond Electronics
W25X40AVSSIG
Winbond Electronics
W25X40BVSSIG
Winbond Electronics
W25X40CVSSIG
Winbond Electronics
W25X40VSSIG
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W25X40VSSIG T&R
Winbond Electronics
W25X80AVSSIG
Winbond Electronics
W25X80VSSIG
Winbond Electronics
W25X80VSSIG T&R
Winbond Electronics
CAT24C512XI-T2
ON Semiconductor
XC7A50T-2FG484I
Xilinx Inc.
XC4028XL-2BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQG176M
Microsemi Corporation
M1A3P400-FGG144
Microsemi Corporation
LFEC6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C7
Intel
EP4CE55F29I8L
Intel
EP20K600CB652C8
Intel