casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / BR810DL-BP
codice articolo del costruttore | BR810DL-BP |
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Numero di parte futuro | FT-BR810DL-BP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BR810DL-BP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, BR-8D |
Pacchetto dispositivo fornitore | BR-8D |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR810DL-BP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BR810DL-BP-FT |
MSD100-16
Microsemi Corporation
MSD100-12
Microsemi Corporation
MSD130-08
Microsemi Corporation
MSD130-12
Microsemi Corporation
MSD160-08
Microsemi Corporation
MSD160-12
Microsemi Corporation
MSD160-16
Microsemi Corporation
MSD200-08
Microsemi Corporation
MSD200-12
Microsemi Corporation
MSD200-16
Microsemi Corporation
AGL400V2-FG256
Microsemi Corporation
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC672-1X
Intel
EPF10K200SFC484-2X
Intel
EP1K50FC256-2N
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5SGXEA7K1F40I2N
Intel
A1020B-1PLG44I
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LFXP6E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX22CF19C7
Intel