casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / MSD100-12
codice articolo del costruttore | MSD100-12 |
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Numero di parte futuro | FT-MSD100-12 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MSD100-12 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.2kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 100A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.9V @ 300A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300µA @ 1200V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | M3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | M3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSD100-12 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MSD100-12-FT |
GBU804TB
SMC Diode Solutions
GBU808GTB
SMC Diode Solutions
GBU808TB
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KBP310GTB
SMC Diode Solutions
KBP410GTB
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KBP206GTB
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KBP406GTB
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KBP210GTB
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KBP306GTB
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KBP2005GTB
SMC Diode Solutions
M1AGL1000V2-FGG256I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
EP4CE55F23C8L
Intel
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XA6SLX4-3CSG225I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EP20K200EBC356-2X
Intel
EP1K10QC208-2N
Intel