casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / BR25S320FVJ-WE2
codice articolo del costruttore | BR25S320FVJ-WE2 |
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Numero di parte futuro | FT-BR25S320FVJ-WE2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BR25S320FVJ-WE2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 32Kb (4K x 8) |
Frequenza di clock | 20MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP-BJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR25S320FVJ-WE2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BR25S320FVJ-WE2-FT |
BR93G56F-3AGTE2
Rohm Semiconductor
BR93G56F-3BGTE2
Rohm Semiconductor
BR93G66F-3AGTE2
Rohm Semiconductor
BR93G66F-3BGTE2
Rohm Semiconductor
BR93G76F-3GTE2
Rohm Semiconductor
BR93G86F-3AGTE2
Rohm Semiconductor
BR93G86F-3BGTE2
Rohm Semiconductor
BR93H56RF-WCE2
Rohm Semiconductor
BR93H66RF-2CE2
Rohm Semiconductor
BR93H66RF-WCE2
Rohm Semiconductor
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel