casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / BR93G66F-3BGTE2
codice articolo del costruttore | BR93G66F-3BGTE2 |
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Numero di parte futuro | FT-BR93G66F-3BGTE2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BR93G66F-3BGTE2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 4Kb (256 x 16) |
Frequenza di clock | 3MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR93G66F-3BGTE2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BR93G66F-3BGTE2-FT |
F640BFHEPBTLHGA
Sharp Microelectronics
F640BFHEPTTL70A
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F640BFHEPTTLHFA
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BR24T256F-WE2
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BR25G256F-3GE2
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BR24T01F-WE2
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BR24T16F-WE2
Rohm Semiconductor
XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M16SCE144C8G
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LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5U19C7N
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5AGXFA5H4F35I3
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EP4SGX70HF35C3
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