casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / BR25S128GUZ-WE2
codice articolo del costruttore | BR25S128GUZ-WE2 |
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Numero di parte futuro | FT-BR25S128GUZ-WE2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BR25S128GUZ-WE2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 128Kb (16K x 8) |
Frequenza di clock | 10MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 12-XFBGA, CSPBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | VCSP35L2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR25S128GUZ-WE2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BR25S128GUZ-WE2-FT |
BR25G256FJ-3GE2
Rohm Semiconductor
BR25G320FJ-3GE2
Rohm Semiconductor
BR25G512FJ-3GE2
Rohm Semiconductor
BR25G640FJ-3GE2
Rohm Semiconductor
BR25H010FJ-2CE2
Rohm Semiconductor
BR25H020FJ-2CE2
Rohm Semiconductor
BR25H080FJ-2CE2
Rohm Semiconductor
BR25H128FJ-2CE2
Rohm Semiconductor
BR25H160FJ-2CE2
Rohm Semiconductor
BR25H256FJ-2ACE2
Rohm Semiconductor
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel