casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / BR25H080FJ-2CE2
codice articolo del costruttore | BR25H080FJ-2CE2 |
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Numero di parte futuro | FT-BR25H080FJ-2CE2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
BR25H080FJ-2CE2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 8Kb (1K x 8) |
Frequenza di clock | 10MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 4ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP-J |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR25H080FJ-2CE2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BR25H080FJ-2CE2-FT |
BR25H320FVT-2CE2
Rohm Semiconductor
BR25H640FVT-2ACE2
Rohm Semiconductor
BR25H640FVT-2CE2
Rohm Semiconductor
BR93H46RFVT-2CE2
Rohm Semiconductor
BR93H56RFVT-2CE2
Rohm Semiconductor
BR93H76RFVT-2CE2
Rohm Semiconductor
BR93H86RFVT-2CE2
Rohm Semiconductor
BR25A256FVT-3MGE2
Rohm Semiconductor
BR25A512FVT-3MGE2
Rohm Semiconductor
BR25H080FVT-2CE2
Rohm Semiconductor
EPF10K30ATI144-3N
Intel
A54SX32A-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED6N3F45I4N
Intel
5SGSMD5H2F35I3L
Intel
A40MX04-FPL84
Microsemi Corporation
LFXP6C-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I3N
Intel