casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / BQ4014YMB-85
codice articolo del costruttore | BQ4014YMB-85 |
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Numero di parte futuro | FT-BQ4014YMB-85 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BQ4014YMB-85 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Dimensione della memoria | 2Mb (256K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 85ns |
Tempo di accesso | 85ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 32-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 32-DIP Module (18.42x52.96) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ4014YMB-85 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BQ4014YMB-85-FT |
W632GG6KB15I
Winbond Electronics
W632GG6KB15I TR
Winbond Electronics
W632GG6KB15J
Winbond Electronics
W632GU6KB-11
Winbond Electronics
W632GU6KB-12
Winbond Electronics
W632GU6KB-12 TR
Winbond Electronics
W632GU6KB-15
Winbond Electronics
W632GU6KB-15 TR
Winbond Electronics
W632GU6KB11I
Winbond Electronics
W632GU6KB12I
Winbond Electronics
A42MX36-BGG272
Microsemi Corporation
A3PN125-Z2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C70F672I8
Intel
EP4CGX110DF27C8N
Intel
EP20K30EFI144-2X
Intel
XC7K480T-L2FFG901I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
EP1C12F324C7N
Intel