casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / BQ4013MA-85
codice articolo del costruttore | BQ4013MA-85 |
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Numero di parte futuro | FT-BQ4013MA-85 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BQ4013MA-85 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Dimensione della memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 85ns |
Tempo di accesso | 85ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.75V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 32-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 32-DIP Module (18.42x42.8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ4013MA-85 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BQ4013MA-85-FT |
W632GG6KB-12
Winbond Electronics
W632GG6KB-12 TR
Winbond Electronics
W632GG6KB-15
Winbond Electronics
W632GG6KB-15 TR
Winbond Electronics
W632GG6KB-18
Winbond Electronics
W632GG6KB11I
Winbond Electronics
W632GG6KB12I
Winbond Electronics
W632GG6KB12I TR
Winbond Electronics
W632GG6KB12J
Winbond Electronics
W632GG6KB15I
Winbond Electronics
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel