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Winbond Electronics W632GG6KB11I

Numero parte MFG
W632GG6KB11I
quantità disponibile
71930 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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Data di spedizione
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fabbricante
Winbond Electronics
Breve descrizione
- IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Memoria
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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W632GG6KB11I specificazioni

codice articolo del costruttore W632GG6KB11I
Numero di parte futuro FT-W632GG6KB11I
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
W632GG6KB11I Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Discontinued at Future Semiconductor
Tipo di memoria Volatile
Formato di memoria DRAM
Tecnologia SDRAM - DDR3
Dimensione della memoria 2Gb (128M x 16)
Frequenza di clock 933MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina -
Tempo di accesso 20ns
Interfaccia di memoria Parallel
Tensione - Fornitura 1.425V ~ 1.575V
temperatura di esercizio -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore 96-WBGA (9x13)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
W632GG6KB11I Peso Contattaci
Numero parte di ricambio W632GG6KB11I-FT

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