casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / BQ4011YMA-70
codice articolo del costruttore | BQ4011YMA-70 |
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Numero di parte futuro | FT-BQ4011YMA-70 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BQ4011YMA-70 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Dimensione della memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 28-DIP Module (18.42x37.72) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ4011YMA-70 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BQ4011YMA-70-FT |
W632GG6MB-11
Winbond Electronics
W632GG6MB-11 TR
Winbond Electronics
W632GG6MB-12 TR
Winbond Electronics
W632GG6MB-15
Winbond Electronics
W632GG6MB-15 TR
Winbond Electronics
W632GG6MB11I
Winbond Electronics
W632GG6MB12I
Winbond Electronics
W632GG6MB12I TR
Winbond Electronics
W632GG6MB15I
Winbond Electronics
W632GG6MB15I TR
Winbond Electronics
XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation