casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / BQ4010YMA-200
codice articolo del costruttore | BQ4010YMA-200 |
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Numero di parte futuro | FT-BQ4010YMA-200 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BQ4010YMA-200 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Dimensione della memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 200ns |
Tempo di accesso | 200ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 28-DIP Module (18.42x37.72) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ4010YMA-200 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BQ4010YMA-200-FT |
W632GU6KB15I
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W632GU6KB15I TR
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W631GG6MB-11 TR
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