casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / W632GG6MB-12
codice articolo del costruttore | W632GG6MB-12 |
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Numero di parte futuro | FT-W632GG6MB-12 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W632GG6MB-12 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3 |
Dimensione della memoria | 2Gb (128M x 16) |
Frequenza di clock | 800MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 20ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.425V ~ 1.575V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 96-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 96-VFBGA (7.5x13) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W632GG6MB-12 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | W632GG6MB-12-FT |
AT45DB081D-MU-SL955
Adesto Technologies
AT45DB321D-MU-2.5
Adesto Technologies
AT45DB321D-MU-2.5-SL383
Adesto Technologies
AT45DB321D-MU-SL383
Adesto Technologies
AT45DB321D-MU-SL954
Adesto Technologies
AT45DB321D-MU-SL955
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AT45DB642D-CNU
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AT45DB642D-CNU-SL383
Adesto Technologies
AT45DB642D-CNU-SL954
Adesto Technologies
AT45DB642D-CNU-SL955
Adesto Technologies
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel