casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / EDB2432B4MA-1DAAT-F-R TR
codice articolo del costruttore | EDB2432B4MA-1DAAT-F-R TR |
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Numero di parte futuro | FT-EDB2432B4MA-1DAAT-F-R TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDB2432B4MA-1DAAT-F-R TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Dimensione della memoria | 2Gb (64M x 32) |
Frequenza di clock | 533MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 134-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 134-VFBGA (10x11.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB2432B4MA-1DAAT-F-R TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EDB2432B4MA-1DAAT-F-R TR-FT |
W25Q256FVBIP TR
Winbond Electronics
W25Q256FVBJQ
Winbond Electronics
W25Q256FVBJQ TR
Winbond Electronics
W25Q32BVTBJG
Winbond Electronics
W25Q32BVTBJG TR
Winbond Electronics
W25Q32BVTBJP
Winbond Electronics
W25Q32BVTBJP TR
Winbond Electronics
W25Q32FVTBIG
Winbond Electronics
W25Q32FVTBIG TR
Winbond Electronics
W25Q32FVTBJQ
Winbond Electronics
LFXP3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL090-1FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-2FG256I
Microsemi Corporation
ICE5LP2K-CM36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2LN
Intel
LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2SG
Intel