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Infineon Technologies BG3123RE6327HTSA1

Name: BG3123RE6327HTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BG3123RE6327HTSA1
Availability: InStock
Rating: 4.7 (678 reviews)

Numero parte MFG: BG3123RE6327HTSA1

quantità disponibile: 65970 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: - MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - RF

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: BG3123RE6327HTSA1.pdf

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BG3123RE6327HTSA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	BG3123RE6327HTSA1
Numero di parte futuro	FT-BG3123RE6327HTSA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
BG3123RE6327HTSA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Transistor Type	2 N-Channel (Dual)
Frequenza	800MHz
Guadagno	25dB
Tensione - Test	5V
Valutazione attuale	25mA, 20mA
Figura di rumore	1.8dB
Corrente - Test	14mA
Potenza - Uscita	-
Tensione: nominale	8V
Pacchetto / caso	6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-SOT363-6
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BG3123RE6327HTSA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	BG3123RE6327HTSA1-FT

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