casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - RF / AFT18H357-24SR6
codice articolo del costruttore | AFT18H357-24SR6 |
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Numero di parte futuro | FT-AFT18H357-24SR6 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AFT18H357-24SR6 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | LDMOS (Dual) |
Frequenza | 1.81GHz |
Guadagno | 17.3dB |
Tensione - Test | 28V |
Valutazione attuale | - |
Figura di rumore | - |
Corrente - Test | 800mA |
Potenza - Uscita | 63W |
Tensione: nominale | 65V |
Pacchetto / caso | NI-1230-4LS2L |
Pacchetto dispositivo fornitore | NI-1230-4LS2L |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AFT18H357-24SR6 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AFT18H357-24SR6-FT |
3SK264-5-TG-E
ON Semiconductor
BF245A
ON Semiconductor
BF245B
ON Semiconductor
BF256A
ON Semiconductor
BF256AG
ON Semiconductor
J309
ON Semiconductor
J309G
ON Semiconductor
J310
ON Semiconductor
J310G
ON Semiconductor
MMBFJ309LT1G
ON Semiconductor
XC3S500E-4CPG132C
Xilinx Inc.
XCV1600E-7FG900C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG256
Microsemi Corporation
XC4VLX60-10FFG1148C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PLG84I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H4F34E3LG
Intel
10AX115H3F34E2LG
Intel
EP20K400BC652-1XV
Intel
5SGSMD4H3F35C2N
Intel