casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / BFU550VL
codice articolo del costruttore | BFU550VL |
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Numero di parte futuro | FT-BFU550VL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BFU550VL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Frequenza - Transizione | 11GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 1.3dB @ 1.8GHz |
Guadagno | 15dB |
Potenza - Max | 450mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 15mA, 8V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-253-4, TO-253AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-143B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFU550VL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BFU550VL-FT |
15GN01CA-TB-E
ON Semiconductor
MMBTH10-4LT1
ON Semiconductor
MSC2295-BT1G
ON Semiconductor
MSC2295-CT1
ON Semiconductor
MSC2295-CT1G
ON Semiconductor
MSD2714AT1G
ON Semiconductor
2SC5347AE-TD-E
ON Semiconductor
2SC5347AF-TD-E
ON Semiconductor
2SC5231A-8-TL-E
ON Semiconductor
2SC5277A-2-TL-E
ON Semiconductor
XC3S50A-4TQ144C
Xilinx Inc.
XC4013E-3PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484
Microsemi Corporation
A3P030-1QNG48I
Microsemi Corporation
M7AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
EP1C3T100I7N
Intel
5SGXEA4K3F35I3LN
Intel
XC4VLX25-10FFG676C
Xilinx Inc.
10AX066K3F40I2LG
Intel
EP1K100QC208-1N
Intel