casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / 2N3866A
codice articolo del costruttore | 2N3866A |
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Numero di parte futuro | FT-2N3866A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N3866A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Frequenza - Transizione | 400MHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | - |
Guadagno | - |
Potenza - Max | 1W |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 50mA, 5V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 400mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-39 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N3866A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N3866A-FT |
2SC5754-T2-A
CEL
BFU668F,115
NXP USA Inc.
BFU725F,115
NXP USA Inc.
NE662M04-A
CEL
NE662M04-T2-A
CEL
NE663M04-A
CEL
NE663M04-T2-A
CEL
NE664M04-A
CEL
NE664M04-T2-A
CEL
NE677M04-A
CEL
XC3S4000-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FGG676E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-3FG900I
Xilinx Inc.
M2GL005-1FGG484
Microsemi Corporation
EP1S10F672C7N
Intel
10AX022E3F27E2SG
Intel
XC7VX415T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB1D4F31C5N
Intel
EPF6016QI208-3
Intel