casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / NE68119-A
codice articolo del costruttore | NE68119-A |
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Numero di parte futuro | FT-NE68119-A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NE68119-A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
Frequenza - Transizione | 7GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 1.4dB @ 1GHz |
Guadagno | 10dB |
Potenza - Max | 100mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 7mA, 3V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 65mA |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-523 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE68119-A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NE68119-A-FT |
MX0912B351Y,114
Ampleon USA Inc.
RX1214B300Y,114
Ampleon USA Inc.
BLS2731-110,114
Ampleon USA Inc.
BLS2731-50,114
Ampleon USA Inc.
BLS3135-20,114
NXP USA Inc.
BLS3135-50,114
NXP USA Inc.
BLS3135-65,114
NXP USA Inc.
BFU520VL
NXP USA Inc.
BFU520XVL
NXP USA Inc.
BFU530VL
NXP USA Inc.
XC3S500E-4VQG100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-2FG484C
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-4FGG484C
Xilinx Inc.
EP3C55F484C8N
Intel
10M08SCE144C8G
Intel
5SGXEA4K2F35C2L
Intel
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
AGL1000V2-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT324I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34E1SG
Intel