casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / 2SA1977-A
codice articolo del costruttore | 2SA1977-A |
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Numero di parte futuro | FT-2SA1977-A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SA1977-A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Frequenza - Transizione | 8.5GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 1.5dB @ 1GHz |
Guadagno | 12dB |
Potenza - Max | 200mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 20mA, 8V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SA1977-A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SA1977-A-FT |
BFP720ESDH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP720H6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP740ESDH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP740H6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP842ESDH6327XTSA1
Infineon Technologies
2SC5011-A
CEL
2SC5011-T1-A
CEL
2SC5012-A
CEL
2SC5012-T1-A
CEL
2SC5013-A
CEL
M7A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F40C2N
Intel
10AX032E2F27E2LG
Intel
5SGSED8N2F45I2N
Intel
5SGXEB6R3F43I4N
Intel
LFXP10C-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C120F780C8
Intel
EP1C20F324I7N
Intel