casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BDX34D-S
codice articolo del costruttore | BDX34D-S |
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Numero di parte futuro | FT-BDX34D-S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BDX34D-S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 10A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 6mA, 3A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 3A, 3V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BDX34D-S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BDX34D-S-FT |
BD244A-S
Bourns Inc.
BD244B-S
Bourns Inc.
BD244C-S
Bourns Inc.
BD539-S
Bourns Inc.
BD539A-S
Bourns Inc.
BD539B-S
Bourns Inc.
BD539C-S
Bourns Inc.
BD540A-S
Bourns Inc.
BD540B-S
Bourns Inc.
BD540C-S
Bourns Inc.
A54SX16A-2FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50F672C7N
Intel
EP3C5U256C7
Intel
5SGXEA9N3F45C2N
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
XC2V8000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C3
Intel
EP1C4F400I7N
Intel