casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BDW54D-S
codice articolo del costruttore | BDW54D-S |
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Numero di parte futuro | FT-BDW54D-S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BDW54D-S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 4A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 40mA, 4A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 1.5A, 3V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BDW54D-S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BDW54D-S-FT |
BCX5616H6433XTMA1
Infineon Technologies
BCX56H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCX56H6359XTMA1
Infineon Technologies
BCX6810H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCX6816H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCX6825H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCX6910H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCX6916H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCX6925H6327XTSA1
Infineon Technologies
BD239-S
Bourns Inc.
LCMXO640C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S100E-4CPG132I
Xilinx Inc.
XC4013XL-1PQ208I
Xilinx Inc.
A3PN060-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7H3F35C2
Intel
XC2VP4-5FF672C
Xilinx Inc.
LFE2-6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S4F45I3LG
Intel
5CGXBC9E6F35C7N
Intel