casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BCX56H6359XTMA1
codice articolo del costruttore | BCX56H6359XTMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BCX56H6359XTMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BCX56H6359XTMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 2V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT89 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCX56H6359XTMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCX56H6359XTMA1-FT |
2SC6040,T2Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC6042,T2HOSH1Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC6042,T2WNLQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC6139,T2F(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SCR523V1T2L
Rohm Semiconductor
2SD1012F-SPA
ON Semiconductor
2SD1012F-SPA-AC
ON Semiconductor
2SD1012G-SPA
ON Semiconductor
2SD1012G-SPA-AC
ON Semiconductor
2SD11990S
Panasonic Electronic Components
LCMXO2-2000HE-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S1600E-4FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL005-1VF400I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFE2-50E-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB3G6F35C6N
Intel
EP4CE30F29I7N
Intel