casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BDT60C-S
codice articolo del costruttore | BDT60C-S |
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Numero di parte futuro | FT-BDT60C-S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BDT60C-S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 4A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 6mA, 1.5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 1.5A, 3V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BDT60C-S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BDT60C-S-FT |
BCV29H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCV49H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCW60E6422HTMA1
Infineon Technologies
BCW61E6384HTMA1
Infineon Technologies
BCW68E6359HTMA1
Infineon Technologies
BCX5116H6433XTMA1
Infineon Technologies
BCX51H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCX5216H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCX5216H6433XTMA1
Infineon Technologies
BCX52H6327XTSA1
Infineon Technologies
EX64-PTQG100I
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208
Microsemi Corporation
10M40DCF256A7G
Intel
EP3SL340F1517C3
Intel
XC6VLX365T-1FFG1759C
Xilinx Inc.
AGL125V5-FG144
Microsemi Corporation
LFEC33E-3FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04SCM153I7G
Intel