casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BCV49H6327XTSA1
codice articolo del costruttore | BCV49H6327XTSA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BCV49H6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BCV49H6327XTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 100µA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10000 @ 100mA, 5V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-243AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-89-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCV49H6327XTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCV49H6327XTSA1-FT |
2SC4731T-AY
ON Semiconductor
2SC4783-T1-A
Renesas Electronics America
2SC4837S-AY
ON Semiconductor
2SC4901YK-TL-E
Renesas Electronics America
2SC4901YK-TR-E
Renesas Electronics America
2SC4926YD-TL-E
Renesas Electronics America
2SC4942-T1-AZ
Renesas Electronics America
2SC5201(T6MURATAFM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5201(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SC5201,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
AGLN015V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LCMXO256C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30XL-4VQG100C
Xilinx Inc.
APA300-FG256I
Microsemi Corporation
A54SX16P-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEBBR2H43C2N
Intel
XC7VX485T-2FF1761C
Xilinx Inc.
A40MX04-3PQ100
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19C7N
Intel