casa / prodotti / resistenze / Resistori per montaggio su telaio / BDS2A100470RK
codice articolo del costruttore | BDS2A100470RK |
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Numero di parte futuro | FT-BDS2A100470RK |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | BDS, CGS |
BDS2A100470RK Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 470 Ohms |
Tolleranza | ±10% |
Potenza (Watt) | 100W |
Composizione | Thick Film |
Coefficiente di temperatura | ±150ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Caratteristiche | RF, High Frequency |
Rivestimento, Tipo di alloggiamento | Epoxy Coated |
Caratteristica di montaggio | Flanges |
Dimensione / Dimensione | 1.488" L x 1.000" W (37.80mm x 25.40mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.827" (21.00mm) |
Stile di piombo | M4 Threaded |
Pacchetto / caso | SOT-227-2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BDS2A100470RK Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BDS2A100470RK-FT |
THS10R50J
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LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25T-2FG484C
Xilinx Inc.
M2GL005-1FGG484
Microsemi Corporation
EP2S30F484C4N
Intel
XC5VSX35T-1FF665I
Xilinx Inc.
XC7VX980T-L2FFG1930E
Xilinx Inc.
A42MX24-2TQ176
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260EF29I3
Intel