casa / prodotti / resistenze / Resistori per montaggio su telaio / BDS2A100250RJ
codice articolo del costruttore | BDS2A100250RJ |
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Numero di parte futuro | FT-BDS2A100250RJ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | BDS, CGS |
BDS2A100250RJ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 250 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 100W |
Composizione | Thick Film |
Coefficiente di temperatura | ±150ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Caratteristiche | RF, High Frequency |
Rivestimento, Tipo di alloggiamento | Epoxy Coated |
Caratteristica di montaggio | Flanges |
Dimensione / Dimensione | 1.496" Dia x 1.004" L (38.00mm x 25.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.827" (21.00mm) |
Stile di piombo | M4 Threaded |
Pacchetto / caso | SOT-227-2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BDS2A100250RJ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BDS2A100250RJ-FT |
TAP800J100E
Ohmite
TAP800J10RE
Ohmite
TAP800J1K0E
Ohmite
TAP800J1R0E
Ohmite
TAP800J500E
Ohmite
TAP800J50RE
Ohmite
TAP800K25RE
Ohmite
TAP800K300E
Ohmite
TAP800K750E
Ohmite
TAP800K75RE
Ohmite
EP20K100ETC144-1
Intel
XC3S700A-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC6SLX75-3FGG676C
Xilinx Inc.
AT40K40AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXMA7H3F35C2
Intel
A40MX02-PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80B956C7N
Intel
EP3C25F324C6
Intel