casa / prodotti / resistenze / Resistori per montaggio su telaio / BDS2A1001M0J
codice articolo del costruttore | BDS2A1001M0J |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BDS2A1001M0J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | BDS, CGS |
BDS2A1001M0J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 1 MOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 100W |
Composizione | Thick Film |
Coefficiente di temperatura | ±150ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Caratteristiche | RF, High Frequency |
Rivestimento, Tipo di alloggiamento | Epoxy Coated |
Caratteristica di montaggio | Flanges |
Dimensione / Dimensione | 1.496" L x 1.004" W (38.00mm x 25.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.827" (21.00mm) |
Stile di piombo | M4 Threaded |
Pacchetto / caso | SOT-227-2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BDS2A1001M0J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BDS2A1001M0J-FT |
RSW-10-50
Riedon
TAP800J100E
Ohmite
TAP800J10RE
Ohmite
TAP800J1K0E
Ohmite
TAP800J1R0E
Ohmite
TAP800J500E
Ohmite
TAP800J50RE
Ohmite
TAP800K25RE
Ohmite
TAP800K300E
Ohmite
TAP800K750E
Ohmite
AGL015V5-QNG68I
Microsemi Corporation
AX250-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-1PQG208I
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10CL025YU256C6G
Intel
5SGXMA3K3F40I3LN
Intel
EP4SE360F35I3
Intel
XC7VX690T-1FFG1926I
Xilinx Inc.
EP4SGX180HF35C2N
Intel
EP1S40F1020I6
Intel