codice articolo del costruttore | BD901-S |
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Numero di parte futuro | FT-BD901-S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BD901-S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 8A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 12mA, 3A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 3A, 3V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BD901-S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BD901-S-FT |
BCP68/ZLF
Nexperia USA Inc.
BCP68/ZLX
Nexperia USA Inc.
BCP69-16/ZLF
Nexperia USA Inc.
BCP69-16/ZLX
Nexperia USA Inc.
BCV29H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCV49H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCW60E6422HTMA1
Infineon Technologies
BCW61E6384HTMA1
Infineon Technologies
BCW68E6359HTMA1
Infineon Technologies
BCX5116H6433XTMA1
Infineon Technologies
EPF6024ATC144-2N
Intel
XC2VP2-5FG456I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FFG144
Microsemi Corporation
10M50DAF256C8G
Intel
EP4SGX530KH40C3N
Intel
5SGXEA7K3F35I3N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136CES
Xilinx Inc.
XC7S6-2CPGA196I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FTQG100
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation