casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BD900A-S
codice articolo del costruttore | BD900A-S |
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Numero di parte futuro | FT-BD900A-S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BD900A-S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 8A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.8V @ 16mA, 4A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 4A, 3V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BD900A-S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BD900A-S-FT |
BCP68-25/ZLX
Nexperia USA Inc.
BCP68/ZLF
Nexperia USA Inc.
BCP68/ZLX
Nexperia USA Inc.
BCP69-16/ZLF
Nexperia USA Inc.
BCP69-16/ZLX
Nexperia USA Inc.
BCV29H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCV49H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCW60E6422HTMA1
Infineon Technologies
BCW61E6384HTMA1
Infineon Technologies
BCW68E6359HTMA1
Infineon Technologies
M2GL050T-FCSG325
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256
Microsemi Corporation
5SGXEA3K1F40C2N
Intel
EP4SE360H29C3N
Intel
10AX032E3F27E2LG
Intel
10AX022E4F29I3LG
Intel
XA7A35T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP3SL110F780I4L
Intel