casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BD245B-S
codice articolo del costruttore | BD245B-S |
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Numero di parte futuro | FT-BD245B-S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BD245B-S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 10A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 2.5A, 10A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 700µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 3A, 4V |
Potenza - Max | 3W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-218-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-93 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BD245B-S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BD245B-S-FT |
STBV32-AP
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XC3S200-4TQ144I
Xilinx Inc.
XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
XCV600E-7FG676C
Xilinx Inc.
LFE5UM-45F-7BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40I2N
Intel
XA6SLX9-3CSG324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG144I
Microsemi Corporation
LFEC1E-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA3H3F35I4N
Intel