casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / STBV42-AP
codice articolo del costruttore | STBV42-AP |
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Numero di parte futuro | FT-STBV42-AP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
STBV42-AP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 250mA, 750mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 400mA, 5V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92AP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STBV42-AP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | STBV42-AP-FT |
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A3PN015-QNG68I
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XC6VCX130T-2FFG484I
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M2GL025-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN250-VQG100I
Microsemi Corporation
10M16DCF256I6G
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5SGXMA4K3F40I4N
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XC7VX330T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
LFXP2-8E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
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EPF10K10AQC208-3N
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