casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BD13810STU
codice articolo del costruttore | BD13810STU |
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Numero di parte futuro | FT-BD13810STU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BD13810STU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1.5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 63 @ 150mA, 2V |
Potenza - Max | 1.25W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-225AA, TO-126-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-126-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BD13810STU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BD13810STU-FT |
MJD350TF
ON Semiconductor
MJD44H11TF
ON Semiconductor
KSH2955TF
ON Semiconductor
KSH44H11TF
ON Semiconductor
KSH127TF
ON Semiconductor
KSH42CTF
ON Semiconductor
MJD32CTM
ON Semiconductor
KSH2955TM
ON Semiconductor
KSH47TF
ON Semiconductor
KSH117TF
ON Semiconductor
AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
APA600-FG256I
Microsemi Corporation
5CEFA7M15I7N
Intel
XC2V2000-5BG575I
Xilinx Inc.
A42MX16-TQG176I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-2FGG144
Microsemi Corporation
LFEC10E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5M100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10LV-3AJI
Microchip Technology
EP2SGX30CF780C4
Intel