casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SD1012G-SPA
codice articolo del costruttore | 2SD1012G-SPA |
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Numero di parte futuro | FT-2SD1012G-SPA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SD1012G-SPA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 700mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 80mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 280 @ 50mA, 2V |
Potenza - Max | 250mW |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
temperatura di esercizio | 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 3-SIP |
Pacchetto dispositivo fornitore | 3-SPA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD1012G-SPA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SD1012G-SPA-FT |
2N6229
Microsemi Corporation
2N6230
Microsemi Corporation
2N6231
Microsemi Corporation
2N6234
Microsemi Corporation
2N6276
Microsemi Corporation
2N6329
Microsemi Corporation
2N6330
Microsemi Corporation
2N6339
Microsemi Corporation
2N6671
Microsemi Corporation
2N6672
Microsemi Corporation
EPF10K20TC144-4N
Intel
XC4003E-4PQ100C
Xilinx Inc.
A3P250-1PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE6F17C9L
Intel
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
XA7A15T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
AGL250V2-FG144T
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HC-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2LG
Intel