codice articolo del costruttore | BCV27TC |
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Numero di parte futuro | FT-BCV27TC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCV27TC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 100µA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20000 @ 100mA, 5V |
Potenza - Max | 330mW |
Frequenza - Transizione | 170MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCV27TC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCV27TC-FT |
AC817-40Q-7
Diodes Incorporated
AC847CQ-7
Diodes Incorporated
AC857BQ-7
Diodes Incorporated
AMBTA92Q-7
Diodes Incorporated
BC817-25Q-7-F
Diodes Incorporated
BC817-40Q-13-F
Diodes Incorporated
BC817-40Q-7-F
Diodes Incorporated
BC846A-7-F
Diodes Incorporated
BC847A-7-F
Diodes Incorporated
BC848B-7-F
Diodes Incorporated
M2GL010S-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K200EFC484-2N
Intel
5SGXEA3K2F40C2N
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
XC7K325T-2FB900I
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-8LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40I2LG
Intel
EP20K100QC240-1
Intel
EP20K60EQI208-2X
Intel