casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BC817-40Q-7-F
codice articolo del costruttore | BC817-40Q-7-F |
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Numero di parte futuro | FT-BC817-40Q-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BC817-40Q-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
Potenza - Max | 310mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC817-40Q-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC817-40Q-7-F-FT |
FMMT619TA
Diodes Incorporated
FMMT723TA
Diodes Incorporated
FMMTA56TA
Diodes Incorporated
FMMT6517TA
Diodes Incorporated
FMMTL618TA
Diodes Incorporated
FMMT493ATA
Diodes Incorporated
MMBTA92-7-F
Diodes Incorporated
DP350T05-7
Diodes Incorporated
FMMT718TA
Diodes Incorporated
BC847B-13-F
Diodes Incorporated
LCMXO2-1200HC-4TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75-L1FGG676C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-2FG484C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FG256
Microsemi Corporation
EP2S15F672C4
Intel
10M08SCU169C8G
Intel
XC5VSX50T-3FF665C
Xilinx Inc.
XCS30-4BG256C
Xilinx Inc.
10AX115S1F45I2SGES
Intel
EP20K600EFC33-3
Intel