casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / BCR562E6327HTSA1
codice articolo del costruttore | BCR562E6327HTSA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BCR562E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCR562E6327HTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 50mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
Potenza - Max | 330mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR562E6327HTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCR562E6327HTSA1-FT |
PDTA124TS,126
NXP USA Inc.
PDTA124XS,126
NXP USA Inc.
PDTA143TS,126
NXP USA Inc.
PDTA143XS,126
NXP USA Inc.
PDTA143ZS,126
NXP USA Inc.
PDTA144ES,126
NXP USA Inc.
PDTA144TS,126
NXP USA Inc.
PDTA144VS,126
NXP USA Inc.
PDTA144WS,126
NXP USA Inc.
PDTB113ES,126
NXP USA Inc.
LCMXO2-4000HE-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU15P-1FFVE1517E
Xilinx Inc.
XC2S300E-6PQ208C
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5CGXFC9D6F27I7N
Intel
5SGXEA7H3F35C4N
Intel
5SGSMD5H2F35I3L
Intel
LCMXO2-2000HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation