casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / PDTC114YQAZ
codice articolo del costruttore | PDTC114YQAZ |
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Numero di parte futuro | FT-PDTC114YQAZ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
PDTC114YQAZ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
Frequenza - Transizione | 230MHz |
Potenza - Max | 280mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 3-XDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN1010D-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTC114YQAZ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PDTC114YQAZ-FT |
PDTA114TE,115
NXP USA Inc.
PDTA114YE,115
NXP USA Inc.
PDTA115EE,115
NXP USA Inc.
PDTA115TE,115
NXP USA Inc.
PDTA123EE,115
NXP USA Inc.
PDTA123JE,115
NXP USA Inc.
PDTA123TE,115
NXP USA Inc.
PDTA123YE,115
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PDTA124EE,115
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PDTA124TE,115
NXP USA Inc.