casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BCP51E6327HTSA1
codice articolo del costruttore | BCP51E6327HTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BCP51E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCP51E6327HTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 2V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | 125MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT223-4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCP51E6327HTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BCP51E6327HTSA1-FT |
JANTXV2N2907AUB
Microsemi Corporation
JANTX2N2907AUB
Microsemi Corporation
2N3500
Microsemi Corporation
2N3019S
Microsemi Corporation
2N3735
Microsemi Corporation
2N4236
Microsemi Corporation
2N5680
Microsemi Corporation
2N6193
Microsemi Corporation
2N2219AL
Microsemi Corporation
2N3251A
Microsemi Corporation
XCS10-4TQ144C
Xilinx Inc.
XCV600E-6FG676I
Xilinx Inc.
A3P600-FG484
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
EP1M120F484C8ES
Intel
EPF10K100EFC484-3
Intel
EP2SGX90EF1152C4
Intel
XC5VLX155T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG332I
Lattice Semiconductor Corporation