casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2N2219AL
codice articolo del costruttore | 2N2219AL |
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Numero di parte futuro | FT-2N2219AL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N2219AL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | 800mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-39 (TO-205AD) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N2219AL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N2219AL-FT |
BC56PASX
Nexperia USA Inc.
BC69-25PA,115
Nexperia USA Inc.
PBSS4630PA,115
Nexperia USA Inc.
PBSS5560PA,115
Nexperia USA Inc.
PBSS5612PA,115
Nexperia USA Inc.
BC51-10PA,115
Nexperia USA Inc.
BC51-10PASX
Nexperia USA Inc.
BC51-16PA,115
Nexperia USA Inc.
BC51-16PASX
Nexperia USA Inc.
BC51PASX
Nexperia USA Inc.
LCMXO2-1200ZE-1TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
5SGSED8K3F40C2LN
Intel
EP3SE80F1152I3
Intel
XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
EPF10K200SBC356-1X
Intel