casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BC858CW-G
codice articolo del costruttore | BC858CW-G |
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Numero di parte futuro | FT-BC858CW-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BC858CW-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 150mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC858CW-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC858CW-G-FT |
ZXTP718MATA
Diodes Incorporated
ZXTN620MATA
Diodes Incorporated
ZXTN619MATA
Diodes Incorporated
ZXTP26020DMFTA
Diodes Incorporated
ZXTN618MATA
Diodes Incorporated
ZXTP722MATA
Diodes Incorporated
MMBT3904FA-7B
Diodes Incorporated
MMBT3906FA-7B
Diodes Incorporated
BC857BLP-7B
Diodes Incorporated
DSS3540M-7B
Diodes Incorporated
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
APA600-BGG456I
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC256-2
Intel
5SGSMD8K3F40C4N
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-L1FBG484I
Xilinx Inc.
LFE2-50E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE115F29I8L
Intel