casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BC858AW-G
codice articolo del costruttore | BC858AW-G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BC858AW-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BC858AW-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 125 @ 2.2mA, 5V |
Potenza - Max | 150mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC858AW-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC858AW-G-FT |
ZXTP720MATA
Diodes Incorporated
ZXTN617MATA
Diodes Incorporated
ZXTP718MATA
Diodes Incorporated
ZXTN620MATA
Diodes Incorporated
ZXTN619MATA
Diodes Incorporated
ZXTP26020DMFTA
Diodes Incorporated
ZXTN618MATA
Diodes Incorporated
ZXTP722MATA
Diodes Incorporated
MMBT3904FA-7B
Diodes Incorporated
MMBT3906FA-7B
Diodes Incorporated
LCMXO2-256ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000L-4FGG320C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-PQG208
Microsemi Corporation
A1020B-PL68I
Microsemi Corporation
XC5VLX110T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3LG
Intel
EP4SGX110FF35C4N
Intel