casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BC857BWE6327BTSA1
codice articolo del costruttore | BC857BWE6327BTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BC857BWE6327BTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BC857BWE6327BTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 250mW |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT323-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC857BWE6327BTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC857BWE6327BTSA1-FT |
PVR100AD-B5V0,115
NXP USA Inc.
2SA2162G0L
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2SC5946G0L
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2SC6036G0L
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