casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SA2162G0L
codice articolo del costruttore | 2SA2162G0L |
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Numero di parte futuro | FT-2SA2162G0L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SA2162G0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 200mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 10mA, 2V |
Potenza - Max | 100mW |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
temperatura di esercizio | 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-723 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SSSMini3-F2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SA2162G0L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SA2162G0L-FT |
MMBT5210
ON Semiconductor
MMBT5401
ON Semiconductor
MMBT5401-D87Z
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MMBT5550
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MMBT5550LT1
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MMBT6428LT1
ON Semiconductor
LCMXO640C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S100E-4CPG132I
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XC4013XL-1PQ208I
Xilinx Inc.
A3PN060-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7H3F35C2
Intel
XC2VP4-5FF672C
Xilinx Inc.
LFE2-6E-5FN256C
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Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S4F45I3LG
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5CGXBC9E6F35C7N
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