casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BC856BW-7-F
codice articolo del costruttore | BC856BW-7-F |
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Numero di parte futuro | FT-BC856BW-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BC856BW-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 200mW |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC856BW-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC856BW-7-F-FT |
MMBT5551-7
Diodes Incorporated
MMBTA05-7
Diodes Incorporated
MMBTA06-7
Diodes Incorporated
MMBTA13-7
Diodes Incorporated
MMBTA14-7
Diodes Incorporated
MMBTA28-7
Diodes Incorporated
MMBTA42-7
Diodes Incorporated
MMBTA55-7
Diodes Incorporated
MMBTA56-7
Diodes Incorporated
MMBTA92-7
Diodes Incorporated
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO1200C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XA7A25T-2CSG325I
Xilinx Inc.
M1A3P600-PQ208
Microsemi Corporation
5SEE9F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C4ES
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX110-2FF1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel