casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / MMBTA13-7
codice articolo del costruttore | MMBTA13-7 |
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Numero di parte futuro | FT-MMBTA13-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MMBTA13-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 300mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 100µA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10000 @ 100mA, 5V |
Potenza - Max | 300mW |
Frequenza - Transizione | 125MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBTA13-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MMBTA13-7-FT |
ZXTP23140BFHTA
Diodes Incorporated
ZXTP25020DFLTA
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EPF10K10ATC144-3N
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Xilinx Inc.
LFE2-12SE-5QN208C
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A3P250-2FGG256I
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M7A3P1000-1FGG256
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ICE65L08F-TCB132I
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EP4CE15E22I7N
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LFE3-95EA-6LFN672I
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