casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / SG2003J-JAN
codice articolo del costruttore | SG2003J-JAN |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-SG2003J-JAN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SG2003J-JAN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 7 NPN Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 350mA, 2V |
Potenza - Max | - |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 16-CDIP (0.300", 7.62mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 16-CDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SG2003J-JAN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SG2003J-JAN-FT |
SLA6020
Sanken
SLA6024
Sanken
SLA6026
Sanken
SLA4030
Sanken
SLA4031
Sanken
SLA4041
Sanken
SLA4060
Sanken
SLA4061
Sanken
SLA4070
Sanken
SLA4071
Sanken
XC3S250E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
XC7A100T-L2CSG324E
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-9400C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19A7N
Intel
EP2AGX95EF35C4N
Intel