casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / BC817RAPNZ
codice articolo del costruttore | BC817RAPNZ |
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Numero di parte futuro | FT-BC817RAPNZ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BC817RAPNZ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN, PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 100mA, 1V |
Potenza - Max | 350mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-XFDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN1412-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC817RAPNZ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC817RAPNZ-FT |
CMKT3904 TR
Central Semiconductor Corp
CMKT5087 TR
Central Semiconductor Corp
CMKT2207 TR
Central Semiconductor Corp
CMKT5078 TR
Central Semiconductor Corp
CMKT3946 TR
Central Semiconductor Corp
CMKT5088 TR
Central Semiconductor Corp
CMKT2222A TR
Central Semiconductor Corp
CMKT3920 TR
Central Semiconductor Corp
CMKT5089M10 TR
Central Semiconductor Corp
CMKT2907AG TR
Central Semiconductor Corp
LFE2-6E-6TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-1FGG676C
Xilinx Inc.
XC3S1000-4FGG456I
Xilinx Inc.
XC6VCX130T-1FFG484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-FGG484I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V2-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M16DCF256C8G
Intel
5SGXEABN3F45I4N
Intel
LCMXO2-4000HE-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation