casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / BC214L_J35Z
codice articolo del costruttore | BC214L_J35Z |
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Numero di parte futuro | FT-BC214L_J35Z |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BC214L_J35Z Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 625mW |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC214L_J35Z Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC214L_J35Z-FT |
2N5551_J61Z
ON Semiconductor
2N5771_D26Z
ON Semiconductor
2N5771_D27Z
ON Semiconductor
2N5771_D74Z
ON Semiconductor
2N5771_D75Z
ON Semiconductor
2N5772_D26Z
ON Semiconductor
2N5772_D75Z
ON Semiconductor
2N5830_D26Z
ON Semiconductor
2N5961_D27Z
ON Semiconductor
2N5962_D26Z
ON Semiconductor
A40MX04-1VQ80M
Microsemi Corporation
EX64-PTQ100I
Microsemi Corporation
A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
APA750-FG676I
Microsemi Corporation
EP1M120F484C5N
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5SGXEA3K2F35I2L
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XC7VX485T-3FFG1927E
Xilinx Inc.
XC7K420T-1FFG901C
Xilinx Inc.
XC7A15T-3CSG324E
Xilinx Inc.
10M04SCU324C8G
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