casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2N5830_D26Z
codice articolo del costruttore | 2N5830_D26Z |
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Numero di parte futuro | FT-2N5830_D26Z |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N5830_D26Z Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Potenza - Max | 625mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5830_D26Z Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N5830_D26Z-FT |
2N4410_D27Z
ON Semiconductor
2N4410_D74Z
ON Semiconductor
2N4410_D75Z
ON Semiconductor
2N4953_D26Z
ON Semiconductor
2N5086TA
ON Semiconductor
2N5086TAR
ON Semiconductor
2N5086TF
ON Semiconductor
2N5086TFR
ON Semiconductor
2N5087RLRA
ON Semiconductor
2N5087RLRAG
ON Semiconductor
A1010B-1VQ80I
Microsemi Corporation
EX128-PTQG100I
Microsemi Corporation
XC2V500-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208M
Microsemi Corporation
EP4CE75F23I8LN
Intel
EPF10K30AFC256-3
Intel
10CL006YE144C8G
Intel
XC6VLX240T-1FFG1759C
Xilinx Inc.
APA300-FGG144M
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation